功率半導(dǎo)體器件
· IGBT芯片及模塊
功能亮點：
產(chǎn)品覆蓋650V-6500V全電壓等級IGBT，具有高電流密度、低開關(guān)損耗、高短路功能、低導(dǎo)通壓降、軟關(guān)斷特性、裕量大等特點，可滿足智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)控制等多個領(lǐng)域應(yīng)用需求。
· SIC功率器件
功能亮點：
產(chǎn)品覆蓋650V-3300V SiC SBD和SiC MOSFET,采用第三代精細(xì)平面柵/第四代溝槽柵技術(shù)、體二極管續(xù)流，比導(dǎo)通電陽最低可到1.8mhom·cm2可滿足新能源汽車主驅(qū)、OBC、DC/DC、充電樁、新能源發(fā)電、測試電源、軌道交通等復(fù)雜、高可靠性應(yīng)用工況需求。
· 雙極器件
功能亮點：
產(chǎn)品包括晶閘管、整流管、IGCT等,電壓覆蓋等級600V-8500V,可滿足高壓直流輸電、機車牽引與傳動、靜態(tài)無功補償、軟啟動等多個領(lǐng)域的應(yīng)用需求。